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HUF75309D3ST中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HUF75309D3ST
廠商型號

HUF75309D3ST

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

780.05 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

BYCHIP

中文名稱

百域芯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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HUF75309D3ST規(guī)格書詳情

特性 Features

? VDS= 60V, ID= 50A

RDS(ON) < 73mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 85 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HUF75309D3ST

  • 功能描述:

    MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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