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IRFB4110PBF	文件：350.1 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability 175°COperatingTemperature Automotive[Q101]Qualified Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4110G	文件：300.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFI4110GPBF	文件：555.28 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP4110	文件：335.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4110	文件：733.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFP4110PBF	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS100V RDS(on)typ.3.7m? max.4.5m? ID(SiliconLimited)180A ID(PackageLimited)120A Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Aplications	IRF International Rectifier	IRF

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