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IRFP4110PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP4110PBF
廠商型號(hào)

IRFP4110PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

288.71 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-1 16:57:00

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IRFP4110PBF規(guī)格書詳情

VDSS 100V

RDS(on) typ. 3.7m?

max. 4.5m?

ID (Silicon Limited) 180A

ID (Package Limited) 120A

Benefits

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Aplications

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Uninterruptible Power Supply

High Speed Power Switching

Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP4110PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
22+
TO247
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
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IR
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Infineon(英飛凌)
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TO-247AC
19850
原裝正品,假一賠十
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INFINEON/英飛凌
2021+
45000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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