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HMC757LP4ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

HMC757LP4E

參數(shù)屬性

HMC757LP4E 封裝/外殼為24-VFQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT

功能描述

GaAs pHEMT MMIC WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz

封裝外殼

24-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

993.38 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

Hittite

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更新時間

2025-9-23 17:40:00

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HMC757LP4E規(guī)格書詳情

General Description

The HmC757lp4e is a three stage GaAs pHemT mmiC 1 watt power Amplifier which operates between 16 and 24 GHz. The HmC757lp4e provides 20.5 dB of gain, and 27.5 dBm of saturated output power and 21 pAe from a +5V supply. The rf i/os are DC blocked and matched to 50 ohms. The 4x4 mm plastic package eliminates the need for wirebondig, and is compatible with surface mount manufacturing techniques.

特性 Features

Saturated Output Power: 27.5 dBm @ 21 PAE

High Output ip3: 34.5 dBm

High Gain: 20.5 dB

DC Supply: +5V @ 400 mA

No External Matching Required

24 Lead 4x4 mm SMT Package: 16 mm2

Typical Applications

The HMC757LP4E is ideal for:

? Point-to-Point radios

? Point-to-Multi-Point radios

? VSAT

? Military & Space

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC757LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    16GHz ~ 24GHz

  • P1dB:

    26.5dBm

  • 增益:

    20.5dB

  • 射頻類型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    5V ~ 6V

  • 電流 - 供電:

    400mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 16GHZ-24GHZ 24SMT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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