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IRFP460AS	文件：115.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.27ohm,Id=20A) Description ThirdGenerationHEXFET?sfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevel	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460B	文件：186.09 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460B	文件：419.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP460B	文件：214.41 Kbytes Page：10 Pages	DSeriesPowerMOSFETs FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460BPBF	文件：188.95 Kbytes Page：9 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460BPBF	文件：214.41 Kbytes Page：10 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460C	文件：721.35 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP460LC	文件：338.84 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=20A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460LC	文件：1.10532 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460LC	文件：1.13914 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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