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MCH6601-TL-E

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MIS6601

DualP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableApplications ?BatterySwitchforPortableDevices ?Computers -BusSwitch -LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MP6601

35V,2.5A,StepperMotorDriver

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

MP6601GF

35V,2.5A,StepperMotorDriver

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

MP6601GU

35V,2.5A,StepperMotorDriver

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

MPS6601

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6601

NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MPS6601

AmplifierTransistors

AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MPS6601

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6601

COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6601BECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多HIP6601BECBZ-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 10:40:00

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