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LMH6601QMGNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LMH6601QMGX

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGX/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LMH6601QMGXNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGXSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

MCH6601

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6601

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6601BECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HIP6601BECBZ-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 10:40:00

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