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HGTP3N60C3D中文資料INTERSIL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HGTP3N60C3D
廠商型號(hào)

HGTP3N60C3D

功能描述

6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

文件大小

273.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INTERSIL

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-5 17:12:00

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HGTP3N60C3D規(guī)格書詳情

The HGTP3N60C3D, and HGT1S3N60C3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49113. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49055.

特性 Features

? 6A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGTP3N60C3D

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INTERSIL
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