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HGTP20N60B3中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
HGTP20N60B3規(guī)格書詳情
The HGT1S20N60B3S, the HGTP20N60B3 and the HGTG20N60B3 are Generation III MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
特性 Features
? 40A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150°C
? Short Circuit Rated
? Low Conduction Loss
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”
產(chǎn)品屬性
- 型號：
HGTP20N60B3
- 功能描述：
IGBT 晶體管 TO-220
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAR |
25+23+ |
TO-220 |
15234 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HAR |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
HARRIS |
96+ |
TO-220 |
2785 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INTERSIL |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
ON |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
9526 |
詢價 | |||
ON |
23+ |
TO-220 |
313 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
HARRIS/哈里斯 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
HAR |
24+ |
TO-220 |
3200 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價 | ||
ISL |
05+ |
原廠原裝 |
6182 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 |
