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HGTG20N120E2中文資料INTERSIL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
HGTG20N120E2 |
| 功能描述 | 34A, 1200V N-Channel IGBT |
| 文件大小 |
167.55 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INTERSIL |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 16:50:00 |
| 人工找貨 | HGTG20N120E2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGTG20N120E2規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch ing device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between +25oC and +150oC.
特性 Features
?34A, 1200V
?Latch Free Operation
?Typical Fall Time - 780ns
?High Input Impedance
?Low Conduction Loss
?
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HGTG20N120E2
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
25+23+ |
02 |
26750 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Fairchi |
24+ |
TO247 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價(jià) | ||
Intersil |
24+ |
TO-247 |
8866 |
詢價(jià) | |||
仙童 |
23+ |
TO3P |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO3P |
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詢價(jià) | ||
仙童 |
17+ |
NA |
6200 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
55250 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
