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HGT4E30N60B3DS中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HGT4E30N60B3DS
廠商型號

HGT4E30N60B3DS

功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

文件大小

214.44 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 10:06:00

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HGT4E30N60B3DS規(guī)格書詳情

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

with Anti-Parallel Hyperfast Diode

The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.

特性 Features

? 60A, 600V, TC= 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ= 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HGT4E30N60B3DS

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
N/A
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