HFP830中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
HFP830 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
398.35 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | HUASHAN |
中文名稱 | 華汕電子器件 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-16 11:29:00 |
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HFP830規(guī)格書詳情
General Description
This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.
特性 Features
? 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5?@VGS = 10 V
? Fast switching
? 100 avalanche tested
? Improved dv/dt capability
? Equivalent Type:IRF830
產(chǎn)品屬性
- 型號:
HFP830
- 功能描述:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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SEMIHOW |
24+ |
NA/ |
998 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
- |
23+ |
NA |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
SEMIHOW |
23+ |
TO-220 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SEMIHOW |
23+ |
TO-220 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SEMIHOW |
1922+ |
NA |
9200 |
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SEMIHOW |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
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VBSEMI/臺灣微碧 |
23+ |
TO220 |
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SEMIHOW |
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SEMIHOW/韓國半導(dǎo)體 |
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SEMIHOW |
2022+ |
TO-220 |
32500 |
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