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HFP740中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HFP740
廠商型號(hào)

HFP740

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

324.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

HUASHAN

中文名稱

華汕電子器件

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 17:02:00

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HFP740規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topolgy like a electronic lamp ballast.

特性 Features

? 10A, 400V, RDS(on) <0.55?@VGS = 10 V

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? Equivalent Type:IRF740

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HFP740

  • 制造商:

    HUASHAN

  • 制造商全稱:

    HUASHAN

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SEMIHOW
25+
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