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IIRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IIRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：116.43 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=169A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtempe	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405	文件：255.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：3.36263 Mbytes Page：9 Pages	ElectricPowerSteering(EPS) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405L	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405L	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405LPBF	文件：240.27 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=5.3m廓,ID=131A) Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF

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