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H11G2M數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

H11G2M

功能描述

6 引腳 DIP 高電壓光電達(dá)林頓輸出光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-7 16:42:00

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H11G2M規(guī)格書詳情

描述 Description

H11G1M 和 H11G2M 是光達(dá)靈頓型光耦合光電耦合器。 此類器件包含與連接至光電晶體管的硅達(dá)林頓晶體管耦合的砷化鎵紅外線發(fā)光二極管,該二極管具有集成的基極-發(fā)射極電阻以優(yōu)化高溫特性。

特性 Features

? 高 BVCEO:
? H11G1M 最低值 100 V
? H11G2M 最低值 80 V
? 對(duì)于低輸入電流的高敏感度(IF = 1 mA 時(shí),最小 500% CTR)
? 高溫時(shí)低漏電流(80°C 時(shí),最大 100μA)
? 安全和法規(guī)認(rèn)證:
? UL1577,4170 VACRMS(1 分鐘)
? DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓

應(yīng)用 Application

? 消費(fèi)型設(shè)備
? 工業(yè)級(jí)電機(jī)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :H11G2M

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :500

  • CTR tested @ IF (mA)

    :1

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :1

  • BVCEO (Min) (V)

    :80

  • BVCBO (Min) (V)

    :80

  • BVECO (Min) (V)

    :7

  • ton (Max) (μs)

    :5

  • toff (Max) (μs)

    :100

  • VISO (Min) (V)

    :5300

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCILD
22+
DIP-6
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
ONSEMI/安森美
24+
DIP6
7800
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談
詢價(jià)
onsemi(安森美)
24+
DIP-6
14534
正規(guī)渠道,大量現(xiàn)貨,只等你來(lái)。
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ONSEMI/安森美
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N/A
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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onsemi
23+/24+
6-DIP
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
25+
DIPSOP
25100
全新原裝正品支持含稅
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
DIP6
18000
原裝正品
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
ON(安森美)
2447
DIP-6
115000
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