H11F1M中文資料6 引腳 DIP 雙向模擬 FET 輸出光耦合器數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
H11F1M |
| 參數(shù)屬性 | H11F1M 封裝/外殼為6-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝為管件；類別為隔離器的光隔離器-晶體管光電輸出；產(chǎn)品描述：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| 功能描述 | 6 引腳 DIP 雙向模擬 FET 輸出光耦合器 |
| 封裝外殼 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 13:23:00 |
| 人工找貨 | H11F1M價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多H11F1M規(guī)格書詳情
描述 Description
H11FXM系列包含一個(gè)砷鋁化鎵IRED發(fā)光二極管，該二極管光學(xué)耦合至對(duì)稱雙向硅光電探測(cè)器。 探測(cè)器與輸入端絕緣，功能類似于理想的隔離式FET，設(shè)計(jì)用于低電平AC和DC模擬信號(hào)的無失真控制。 H11FXM系列器件采用雙列直插封裝。
特性 Features
? 作為一個(gè)遠(yuǎn)程可變電阻：
? ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
? ≤ 15pF分流電容
? ≥ 100GΩ I/O隔離電阻作為模擬開關(guān)：
? 極低失調(diào)電壓
? 60 Vpk-pk信號(hào)能力
? 無電荷注入或閂鎖
? UL認(rèn)證（文件編號(hào)E90700）
應(yīng)用 Application
? 消費(fèi)型設(shè)備
? 工業(yè)級(jí)電機(jī)
簡(jiǎn)介
H11F1M屬于隔離器的光隔離器-晶體管光電輸出。由制造生產(chǎn)的H11F1M光隔離器 - 晶體管，光電輸出晶體管或光電輸出光隔離器通常出于安全或功能性原因，使用光來跨過電絕緣層進(jìn)行信息傳輸。與其他光隔離器類型的區(qū)別在于，它們使用簡(jiǎn)單的光電晶體管或光伏電池（太陽(yáng)能電池）作為輸出設(shè)備。這些器件的輸出不需要外部電源即可運(yùn)行，并且具有模擬特性，因此可用于在無法實(shí)現(xiàn)電連接的電路之間傳輸模擬信息。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：H11F1M
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- VCC (Max) (V)
：30
- VCC (Min) (V)
：-
- VOL (Max) (V)
：-
- ICCL (Max) (mA)
：-
- II (ON) RMS (Min) (mA)
：-
- II (OFF) RMS (Max) (mA)
：0.05
- ITH+ (Max) (mA)
：-
- ITH- (Max) (mA)
：-
- Breakdown Voltage (Min) (V)
：30
- Off State Dark Current (Max) (nA)
：50
- RON (Max) (Ω)
：200
- VISO (Min) (V)
：7500
- TOPR (Min) (°C)
：-40
- TOPR (Max) (°C)
：100
- Package Type
：PDIP-6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
2021+ |
DIP 6-Pin |
499 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHI |
23+ |
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詢價(jià) |
