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H11D1M中文資料6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器數(shù)據(jù)手冊ONSEMI規(guī)格書

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廠商型號

H11D1M

功能描述

6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-8 16:10:00

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H11D1M規(guī)格書詳情

描述 Description

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。 一個砷化鎵紅外發(fā)光二極管與一個高壓NPN硅光電二極管耦合。 該器件提供標準塑封6引腳雙列直插封裝。

特性 Features

? 高電壓:
? MOC8204M, BVCEO= 400 V
? H11D1M, BVCEO= 300 V
? H11D3M, BVCEO= 200 V
? 安全和法規(guī)認證:
? UL1577,4170 VACRMS(1 分鐘)
? DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓

應用 Application

? 消費型設備
? 工業(yè)級電機

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :H11D1M

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :20

  • CTR (Max) (%)

    :-

  • CTR tested @ IF (mA)

    :10

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :0.4

  • BVCEO (Min) (V)

    :300

  • BVCBO (Min) (V)

    :300

  • BVECO (Min) (V)

    :7

  • ton (Max) (μs)

    :5

  • toff (Max) (μs)

    :5

  • VISO (Min) (V)

    :4200

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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