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H05N60F中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

H05N60F
廠商型號(hào)

H05N60F

功能描述

N-Channel Power Field Effect Transistor

文件大小

60.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
HSMC
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-4 17:58:00

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H05N60F規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits.

特性 Features

? Higher Current Rating

? Lower RDS(on)

? Lower Capacitances

? Lower Total Gate Charge

? Tighter VSD Specifications

? Avalanche Energy Specified

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    H05N60F

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    N-Channel Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ANAM
25+
DIP48
3200
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
GTS
1736+
DIP10
15238
原廠優(yōu)勢(shì)渠道
詢價(jià)
華晰
21+
TO-220F
70
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
GTS
2021+
DIP/SOP
16500
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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SOP-10
23+
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23+
DIP
24800
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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GTS
24+
DIP
15300
公司常備大量原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%增票!
詢價(jià)
H
25+
TO-TO-220F
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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