H05N60中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
H05N60 |
| 功能描述 | N-Channel Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
60.77 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | HSMC |
| 中文名稱 | 華昕 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 11:27:00 |
| 人工找貨 | H05N60價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
H05N60規(guī)格書詳情
描述 Description
This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits.
特性 Features
? Higher Current Rating
? Lower RDS(on)
? Lower Capacitances
? Lower Total Gate Charge
? Tighter VSD Specifications
? Avalanche Energy Specified
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
H05N60
- 制造商：
HSMC
- 制造商全稱：
HSMC
- 功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
華晰 |
21+ |
TO-220F |
70 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
MINATO |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
GTS |
9934+ |
DIP |
405 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
GTS |
23+ |
DIP10 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
HJ/華昕 |
23+24 |
TO-220F |
16790 |
專業(yè)經(jīng)營(yíng)各種場(chǎng)效應(yīng)管、三極管、IGBT、可控硅、穩(wěn)壓IC |
詢價(jià) | ||
GTS |
24+ |
DIP |
15300 |
公司常備大量原裝現(xiàn)貨,可開13%增票! |
詢價(jià) | ||
GTS |
2021+ |
DIP/SOP |
16500 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
GTS |
2447 |
DIP |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
GTS |
23+ |
DIP |
3000 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價(jià) | ||
H |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) |
