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GTVA107001EC-V1-R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
GTVA107001EC-V1-R2 |
| 參數(shù)屬性 | GTVA107001EC-V1-R2 封裝/外殼為SOT-957A；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ, |
| 功能描述 | High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, DC - 1.4 GHz |
| 封裝外殼 | SOT-957A |
| 文件大小 |
638.73 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 10:36:00 |
| 人工找貨 | GTVA107001EC-V1-R2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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GTVA107001EC-V1-R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA107001EC-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The GTVA107001EC and GTVA107001FC are 700-watt GaN on SiC high electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy band.
特性 Features
? GaN on SiC HEMT technology
? Input matched
? Typical pulsed CW performance (class AB), 1030 MHz,
50 V, 128 μs pulse width, 10 duty cycle
- Output power P3dB = 890 W
- Drain efficiency = 75
- Gain = 18 dB
? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch (all
phase angles at 700 W peak power under pulse conditions: 50 V, 100 mA IDQ,128 μs pulse width, 10 duty
cycle
? Human Body Model Class IC (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Pb-free and RoHS-compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
GTVA107001EC-V1-R250
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類(lèi)型：
HEMT
- 頻率：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 輸出：
700W
- 封裝/外殼：
SOT-957A
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36248-2
- 描述：
700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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