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GTVA101K42EV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA101K42EV
廠商型號

GTVA101K42EV

參數(shù)屬性

GTVA101K42EV 封裝/外殼為H-36275-4;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, DC – 1400 MHz
GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

封裝外殼

H-36275-4

文件大小

2.17807 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-8 8:54:00

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GTVA101K42EV規(guī)格書詳情

GTVA101K42EV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA101K42EV晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The GTVA101K42EV is a 1400-watt GaN on SiC high electron mobility

transistor (HEMT) for use in the DC to 1400 MHz frequency band. It is a

input matched, high efficiency device in a thermally-enhanced package

with bolt-down flange.

特性 Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input matched

? Typical Pulsed CW performance, 960 – 1400 MHz, 50

V, single side, 128 μs pulse width, 10 duty cycle

- Output power at P3dB = 1400 W

- Efficiency = 68

- Gain = 17 dB

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    GTVA101K42EV-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    1400W

  • 封裝/外殼:

    H-36275-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36275-4

  • 描述:

    GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CREE
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880000
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