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GTRA412852FC-V1數(shù)據(jù)手冊MACOM中文資料規(guī)格書
GTRA412852FC-V1規(guī)格書詳情
描述 Description
The GTRA412852FC is a 235-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input and output matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange.
特性 Features
·Input and output matched
·Typical pulsed CW performance; 4100 MHz, 48 V, 10 μs pulse width, 100 μs PP·Output power at P3dB = 235 W
·Gain = 10 dB
·Efficiency = 45%
·Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 30 W (WCDMA) output power
·Human Body Model Class 1A (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
·Low thermal resistance
·Pb-free and RoHS compliant
·GaN on SiC HEMT technology
應用 Application
·Cable Loss Compensation
技術參數(shù)
- 制造商編號
：GTRA412852FC-V1
- 生產廠家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：3700
- Max Frequency(MHz)
：4100
- P3dB Output Power(W)
：235
- Gain(dB)
：11.5
- Efficiency(%)
：45
- Operating Voltage(V)
：48
- Package Category
：Earless
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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