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GTRA263902FC-V2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

GTRA263902FC-V2

參數(shù)屬性

GTRA263902FC-V2 封裝/外殼為H-37248C-4;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

功能描述

High Power RF GaN-on-SiC HEMT 370 W; 48 V; 2495 - 2690 MHz

封裝外殼

H-37248C-4

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名稱

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-11 23:00:00

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GTRA263902FC-V2規(guī)格書詳情

描述 Description

The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching; high efficiency; and a thermally-enhanced package with earless flange.

特性 Features

·Typical pulsed CW performance: 2690 MHz; 48 V; combined outputs
·Output power at P3dB 370 W
·Efficiency 70%
·Gain 15 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @48 V; 56 W (CW) output power
·Low thermal resistance
·Pb-free and RoHS compliant
·Input matched

應(yīng)用 Application

·Multi-standard Cellular Power Amplifiers

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :GTRA263902FC-V2

  • 生產(chǎn)廠家

    :MACOM

  • Min Frequency (MHz)

    :2495

  • Max Frequency(MHz)

    :2690

  • P3dB Output Power(W)

    :370

  • Gain(dB)

    :13.8

  • Efficiency(%)

    :54

  • Operating Voltage(V)

    :48

  • Package Category

    :Earless

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Technology

    :GaN-on-SiC

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