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GT8G131(TE12L,Q)_TOSHIBA/東芝_IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A聯(lián)世界科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
GT8G131(TE12L,Q)
- 功能描述:
IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
相近型號(hào)
- GT8G132(T2LCANON,F)
- GT8G103-5B
- GT8G132(T2LSONY,F)
- GT8G103.SGR20N40L
- GT8G132(TE12L
- GT8G103(TE16L1)
- GT8G132(TE12L,Q)
- GT8G103
- GT8G132/133
- GT8F-4S-HU
- GT8EU-2022SCF
- GT8G133
- GT8ET-10DP-2H(01)
- GT8G133(TE12L,Q)
- GT8ET-10DP-2H
- GT8G133(TE12LQ)
- GT8ES-8P-2.54H
- GT8EP-6P-DS
- GT8G134
- GT8EHS-14DP-2V(01)
- GT8G134(2LCAN0-0,Q)
- GT8EH-3P-2V(55)
- GT8G134(2LCAN0-0Q)
- GT8EH-3P-2V
- GT8G134(2LCANO-O,Q
- GT8EH-3P-2H(55)
- GT8G134(T2LPAV,Q)
- GT8EH-24DP-2V(16)
- GT8G134(T2LPAVQ)
- GT8EH-24DP-2V
- GT8G134(T2LSONYQ)
- GT8EH-14DP-2V(01)
- GT8G136
- GT8EH-12DP-2V(58)
- GT8G151
- GT8G151,LQ
- GT8EH-12DP-2V(15)IC
- GT8G151/LQ(O
- GT8EH-12DP-2V(15)
- GT8EH-12DP-2V(12)
- GT8GI33
- GT8EH-10(4)P-2H(01)
- GT8J101
- GT8EF-9S-HU
- GT8J1018J101
- GT8EF-6S-HU
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