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首頁(yè)>GT40QR21(STA1,E>芯片詳情

GT40QR21(STA1,E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    60000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO3P

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-8-16 13:31:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：GT40QR21(STA1,E品牌：TOSHIBA/東芝

全新原裝現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路3019號(hào)上步工業(yè)區(qū)101棟522

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