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GT25Q102(Q)_TOSHIBA/東芝_IGBT 晶體管 IGBT, 1200V, 25A聯(lián)世界科技
- 詳細信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
GT25Q102(Q)
- 功能描述:
IGBT 晶體管 IGBT, 1200V, 25A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應商
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