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GT10G131分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT10G131
廠商型號

GT10G131

參數(shù)屬性

GT10G131 封裝/外殼為8-SOIC(0.173",4.40mm 寬);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC

功能描述

Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications

封裝外殼

8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

文件大小

201.15 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 23:01:00

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GT10G131規(guī)格書詳情

GT45F122, 45F122 Informaions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT10G131(TE12L,Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 4V,200A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    3.1μs/2μs

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOP(5.5x6.0)

  • 描述:

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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