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GA10JT12-263分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GA10JT12-263 |
| 參數(shù)屬性 | GA10JT12-263 包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：TRANS SJT 1200V 25A |
| 功能描述 | Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor |
| 文件大小 |
913.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GENESIC |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-31 23:00:00 |
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GA10JT12-263規(guī)格書詳情
GA10JT12-263屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生產(chǎn)的GA10JT12-263晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
GA10JT12-263
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
管件
- 技術：
SiC（碳化硅結晶體管）
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
25A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：
120 毫歐 @ 10A
- 功率耗散（最大值）：
170W（Tc）
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 描述：
TRANS SJT 1200V 25A
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE Connectivity(美國泰科) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | |||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
320680 |
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詢價 | ||
GeneSiC Semiconductor |
2022+ |
- |
38550 |
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