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GA10JT12-247分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
GA10JT12-247 |
| 參數(shù)屬性 | GA10JT12-247 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS SJT 1200V 10A TO247AB |
| 功能描述 | Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.02563 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | GENESIC |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-31 23:00:00 |
| 人工找貨 | GA10JT12-247價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
GA10JT12-247規(guī)格書詳情
GA10JT12-247屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生產(chǎn)的GA10JT12-247晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
GA10JT12-247
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 技術(shù)：
SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
10A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：
140 毫歐 @ 10A
- 功率耗散（最大值）：
170W（Tc）
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AB
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 描述：
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE Connectivity(美國(guó)泰科) |
24+ |
7350 |
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詢價(jià) | |||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
320680 |
一級(jí)代理，原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
GeneSiC Semiconductor |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
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詢價(jià) | ||
TE/泰科 |
2447 |
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100500 |
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23+ |
DPAK/TO2637L |
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原廠原包 |
24+ |
原裝 |
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詢價(jià) | ||
TE/泰科 |
23+ |
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10000 |
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