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G4M65DF2

Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGB4M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,4Alowloss

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STGD4M65DF2

Trenchgatefield-stop,650V,4A,Mserieslow-lossIGBT

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise

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STGD4M65DF2

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STGF4M65DF2

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更多G4M65DF2供應商 更新時間2025-7-25 16:19:00

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