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G20N50C1D數(shù)據(jù)手冊(cè)Renesas中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠(chǎng)商型號(hào)

G20N50C1D

功能描述

20A, 500V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱(chēng)

瑞薩 瑞薩科技有限公司

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 12:24:00

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G20N50C1D規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

The IGBT is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only
moderately between +25°C and +150°C. The diode used in parallel with the IGBT is an ultrafast (tRR< 60ns) with soft recovery characteristic.

特性 Features

? 20A, 500V
? Latch Free Operation
? Typical Fall Time < 500ns
? High Input Impedance
? Low Conduction Loss
? With Anti-Parallel Diode
?tRR< 60ns

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
infineon
23+24
SOT263
16790
專(zhuān)業(yè)經(jīng)營(yíng)各種場(chǎng)效應(yīng)管、三極管、IGBT、可控硅、穩(wěn)壓IC
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原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
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23+
TO-3P
2008000
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
原廠(chǎng)封裝
1000
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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