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Marking：G20N06；Package：DFN5/6-8LDual；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG20N06D52usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD |
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