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G1003A-SOT23-3L中文資料佑風(fēng)微電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G1003A-SOT23-3L
廠商型號

G1003A-SOT23-3L

功能描述

High density cell design for ultra low Rdson

文件大小

2.73284 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

YFWDIODE

中文名稱

佑風(fēng)微電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:01:00

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G1003A-SOT23-3L規(guī)格書詳情

描述 Description

The G1003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.

General Features

● VDSS RDS(ON)@10V (typ) ID

100V 135mΩ 5A

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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