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G1003A中文資料佑風(fēng)微電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G1003A
廠商型號

G1003A

功能描述

N-Channel Enhancement MOSFET

絲印標(biāo)識

G1003A

封裝外殼

SOT23-3L

文件大小

745.97 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD
企業(yè)簡稱

YFWDIODE佑風(fēng)微電子

中文名稱

廣東佑風(fēng)微電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-7-31 23:00:00

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G1003A規(guī)格書詳情

描述 Description

The G1003A uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

It is ESD protected.

General Features

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

Application

Power switching application

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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