FSB560分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FSB560 |
參數(shù)屬性 | FSB560 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 |
功能描述 | NPN Low Saturation Transistor |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
208.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Fairchild Semiconductor |
中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-21 22:59:00 |
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FSB560規(guī)格書詳情
NPN Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
FSB560
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
350mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
75MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SSOT3L |
7350 |
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