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FS660R08A6P2FB數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

FS660R08A6P2FB

參數(shù)屬性

FS660R08A6P2FB 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:HYBRID PACK DRIVE

功能描述

IGBT 模塊
HYBRID PACK DRIVE

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 16:59:00

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FS660R08A6P2FB規(guī)格書詳情

簡介

FS660R08A6P2FB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FS660R08A6P2FB晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FS660R08A6P2FB

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :750 V

  • Configuration

    :Sixpack

  • Technology

    :IGBT EDT2

  • IC(nom) / IF(nom)

    :660 A

  • OPN

    :FS660R08A6P2FBBPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.1 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.45 V

  • Qualification

    :Automotive

  • Housing

    :HybridPACK? Drive

  • Features

    :Flat Baseplate

  • Dimensions length

    :152 mm

  • Dimensions width

    :92 mm

  • Package name

    :AG-HYBRIDD-1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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