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FS650R08A4P2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
FS650R08A4P2 |
| 參數(shù)屬性 | FS650R08A4P2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：HYBRID PACK 1 |
| 功能描述 | HybridPACK ? DC6i 750V、650A 六片式汽車級 IGBT 模塊 |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:00:00 |
| 人工找貨 | FS650R08A4P2價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FS650R08A4P2規(guī)格書詳情
特性 Features
優(yōu)勢:
簡介
FS650R08A4P2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FS650R08A4P2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
FS650R08A4P2BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
HybridPACK? DC6
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.35V @ 15V，375A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
AG-HYBDC6I-1
- 描述：
HYBRID PACK 1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
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F3 |
24+ |
QFP |
20000 |
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F3 |
25+ |
MQFP-160 |
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F3 |
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24+ |
QFP |
21 |
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20+ |
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500 |
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25+ |
QFP |
18000 |
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詢價(jià) |
