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FQS4903數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FQS4903

功能描述

N 溝道 QFET? MOSFET 500V,0.37A,6.2?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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FQS4903規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?0.37A, 500V, RDS(on)= 6.2Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 0.185A柵極電荷低(典型值:6.3nC)
?低 Crss(典型值4.5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?100% avalanche tested

應(yīng)用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQS4903

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :0.37

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=6200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.3

  • Ciss Typ (pF)

    :155

  • Package Type

    :SOIC-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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