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FQPF9N50C數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FQPF9N50C

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,500 V,9 A,800 mΩ,TO-220F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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FQPF9N50C規(guī)格書詳情

描述 Description

此類 N 溝道 MOSFET 增強型電場效應(yīng)晶體管是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋 DMOS 專屬工藝生產(chǎn)的。此先進(jìn)技術(shù)特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開關(guān)性能,可承受雪崩和換相模式下的高能量脈沖。此類器件非常適用于高效開關(guān)模式電源、功率因數(shù)校正、基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
?低柵極電荷(典型值 28 nC)
?低 Crss(典型值 24 pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    FQPF9N50C

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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