FQPF7N65C數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
FQPF7N65C |
| 功能描述 | 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，650 V，7 A，1.4 ?，TO-220F |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 20:00:00 |
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FQPF7N65C規(guī)格書詳情
描述 Description
該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
特性 Features
?7A, 650V, RDS(on)= 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A柵極電荷低（典型值：28nC)
?低 Crss（典型值12pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試
?100% avalanche tested
應(yīng)用 Application
? LCD 電視
? LED 電視
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：FQPF7N65C
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：650
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-
- ID Max (A)
：7
- PD Max (W)
：52
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：955
- Package Type
：TO-220-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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