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MTD20N06

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N06HD

PowerMOSFET20Amps,60VoltsN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N06HD

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith

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MTD20N06HDL

PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevelN??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N06HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

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MTD20N06V

N??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

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MTD20N06V

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50

MotorolaMotorola, Inc

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MTP20N06

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju

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MTP20N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP20N06V

TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FQPF20N06

  • 功能描述：

    MOSFET 60V N-Channel QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220F
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
 詢價(jià)
FAIRCHILD
2015
NA
570
全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫存熱賣中!
 詢價(jià)
onsemi(安森美)
24+
TO-220FPAB-3
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
ON/安森美
2410+
TO-220F
30000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
FAIRCHIL
2015+
TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
仙童
05+
TO-220F
3000
原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
FAIRCHI
2016+
TO-220F
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
FAIRCHIL
23+
TO-220F
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
更多FQPF20N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-24 16:36:00

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