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FQP3N80C中文資料功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,800 V,3.0 A,4.8 m?,TO-220數(shù)據(jù)手冊ONSEMI規(guī)格書

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廠商型號

FQP3N80C

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,800 V,3.0 A,4.8 m?,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-10 20:00:00

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FQP3N80C規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體?的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。 這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?3A,800V,RDS(on)= 4.8Ω(最大值)(VGS = 10 V 且 ID = 1.5A 時)
?低柵極電荷(典型值 13nC)
?低 Crss(典型值 5.5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

應用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQP3N80C

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :800

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :3

  • PD Max (W)

    :107

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4800

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :543

  • Package Type

    :TO-220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
190
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-220
55
原裝正品,假一罰十!
詢價
FAIRCHILD
20+
TO-220
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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10+
TO-220
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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FAIRCHILD/仙童
21+
TO220
1709
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原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
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FAIRCHILD/仙童
05+
TO-220
45
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ON/安森美
24+
TO-220-3
4442
全新原裝正品現(xiàn)貨可開票
詢價