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FQP30N06L中文資料功率 MOSFET,N 溝道,邏輯電平,QFET?,60 V,32 A,35 m?,TO-220數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號(hào)

FQP30N06L

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,邏輯電平,QFET?,60 V,32 A,35 m?,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-10 23:01:00

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FQP30N06L規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源應(yīng)用。

特性 Features

?32A, 60V, RDS(on)= 35mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 16A柵極電荷低(典型值:15nC)
?低 Crss(典型值50pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?175°C最大結(jié)溫額定值\"
? 175°C maximum junction temperature rating

應(yīng)用 Application

? 其他音頻與視頻

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FQP30N06L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :32

  • PD Max (W)

    :79

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :45

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :35

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :800

  • Package Type

    :TO-220-3

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