FQD7N10L中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 100V，5.8A，350m?數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書
| 廠商型號 |
FQD7N10L |
| 功能描述 | N 溝道 QFET? MOSFET 100V，5.8A，350m? |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-11 19:00:00 |
| 人工找貨 | FQD7N10L價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FQD7N10L規(guī)格書詳情
描述 Description
該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源應(yīng)用。
特性 Features
?5.8A, 100V, RDS(on)= 350mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2.9A柵極電荷低（典型值：4.6nC)
?低 Crss（典型值12pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?100% avalanche tested
應(yīng)用 Application
? LED 電視
? 照明
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：FQD7N10L
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：5.8
- PD Max (W)
：25
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：380
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：350
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.6
- Ciss Typ (pF)
：220
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飛兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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23+ |
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