FQD5N60C中文資料功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，600 V，2.8 A，2.5 ?，DPAK數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書
FQD5N60C規(guī)格書詳情
描述 Description
該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
特性 Features
?2.8A, 600V, RDS(on)= 2.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.4A柵極電荷低（典型值：15nC)
?低 Crss（典型值6.5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
?RoHS compliant
應(yīng)用 Application
? 照明
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：FQD5N60C
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.8
- PD Max (W)
：49
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：515
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
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詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
4600 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
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24+ |
TO-252 |
20000 |
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Fairchild(飛兆/仙童) |
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三年內(nèi) |
1983 |
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ON/安森美 |
25+ |
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VBsemi |
21+ |
TO252 |
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詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-252 |
3199 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 |
