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FQD1N60	文件：543.8 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FQD1N60	文件：549.28 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FQD1N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FQD1N60C	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，600 V，1 A，11.5 ?，DPAK 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。; ?1A, 600V, RDS(on)= 11.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.5A柵極電荷低（典型值：4.8nC)\n?低 Crss（典型值3.5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FQD1N60C	文件：640.5 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FQD1N60C	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.0 A, 11.5 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FQD1N60C	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.0 A, 11.5 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司
FQD1N60C	文件：824.93 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQD1N60C	文件：305.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
FQD1N60CTM	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.0 A, 11.5 廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
1
PD Max (W)：
28
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
11500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.8
Ciss Typ (pF)：
130
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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