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FP25R12W2T4_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 39A中天科工二部

FP25R12W2T4

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    FP25R12W2T4

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    32000

  • 產(chǎn)品封裝：

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-26 17:26:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：FP25R12W2T4品牌：INFINEON/英飛凌

INFINEON/英飛凌全新特價(jià)FP25R12W2T4即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    FP25R12W2T4

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    847.59 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT-Module

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    FP25R12W2T4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 39A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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