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FP10R12NT3_EUPEC_IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 18A星佑電子
- 詳細信息
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產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FP10R12NT3
- 功能描述:
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 18A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應商
相近型號
- FP10R06W1E3
- FP10R12W1T4PB11BPSA1
- FP10R06VL4_B2
- FP10R12W1T4PBPSA1
- FP10R06KL4
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- FP-108EX-S1-S
- FP10R12W1T7BOMA1
- FP1084-AJT3PTR
- FP10R12W1T7PB11BPSA1
- FP103DR-LF
- FP10R12YE3
- FP103DR
- FP10R12YT3
- FP101-TL-E
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- FP100R12KT4
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- FP100R12KT3
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