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FNB51060TD1數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

FNB51060TD1

參數(shù)屬性

FNB51060TD1 封裝/外殼為20-PowerDIP 模塊(1.220",31.00mm);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊;產(chǎn)品描述:MODULE SPM 600V 10A 20PWRDIP

功能描述

智能功率模塊,600 V,10A
MODULE SPM 600V 10A 20PWRDIP

封裝外殼

20-PowerDIP 模塊(1.220",31.00mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-10 20:00:00

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FNB51060TD1規(guī)格書詳情

描述 Description

FNB51060TD1 是一個 Motion SPM 55 模塊,為交流感應(yīng)、BLDC 和 PMSM 電機提供全功能、高性能逆變器輸出級。 這些模塊集成了內(nèi)置 IGBT 經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動,能夠最小化 EMI 和損耗,同時提供多種模塊上保護功能,包括欠壓閉鎖、互鎖功能、過流關(guān)斷、驅(qū)動 IC 的熱監(jiān)控和故障上報。 內(nèi)置高速 HVIC 僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動信號,從而有效驅(qū)動模塊的穩(wěn)健型短路控制 IGBT。 獨立負 IGBT 引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。

特性 Features

?UL 認證號 E209204 (UL1557)
?600 V - 10 A 三相 IGBT 逆變器,包括進行柵極驅(qū)動和保護的控制 IC
?低功耗、額定短路 IGBT
?內(nèi)置于 HVIC 中的自舉二極管
?將發(fā)射極開路引腳與低端 IGBT 隔離以實現(xiàn)三相電流感測
?高電平有效接口,適用于 3.3/5 V 邏輯、施密特觸發(fā)輸入
?HVIC,用于柵極驅(qū)動、欠壓和短路電流保護
?故障輸出,用于欠壓和短路電流保護
?互鎖功能,防止短路
?關(guān)斷輸入
?HVIC 內(nèi)嵌溫度感測功能,用于監(jiān)控溫度
?優(yōu)化實現(xiàn) 15 - 20 kHz 開關(guān)頻率
?絕緣等級: 1500 Vrms/分

簡介

FNB51060TD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由制造生產(chǎn)的FNB51060TD1功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FNB51060TD1

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Family

    :SPM? 55 Series

  • Type

    :Inverter

  • Substrate

    :Full Package

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :600

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :10

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :1.9

  • Emitter Configuration

    :3 emitter pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :DIP

  • Package Type

    :DIP-020

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