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FJV4104R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

FJV4104R
廠商型號

FJV4104R

參數(shù)屬性

FJV4104R 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

功能描述

PNP Epitaxial Silicon Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

89.89 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 23:01:00

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FJV4104R規(guī)格書詳情

Switching Application (Bias Resistor Built In)

? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

? Built in bias Resistor (R1=47K?, R2=47K?)

? Complement to FJV3104R

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FJV4104RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    68 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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